格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。 此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和密度优势。 格芯表示，该款e