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- 发布日期：2024-06-18 08:11 点击次数：178
在高频率、大电流量整流器及其续流电源电路中，很多应用了快恢复二极管（FBR）、极快恢复二极管（SRD）和肖特基二极管（SBD）。肖特基二极管运用了肖特基，来对金属材料或半导体材料表面上的反向工作电压来开展阻拦，进而让电流量开展单边的传输。与传统式的二极管不一样，肖特基与PN结的构造对比，存有挺大的差别。迅速恢复二极管，说白了是一种可以迅速恢复反向時间的半导体材料二极管，文中关键从结构特点、技术参数层面来开展剖析比照。
介绍
肖特基二极管是以金属材料和半导体材料触碰产生的势垒为基本的二极管，通称肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode），具备顺向压减少（0.4--0.9V）、反向恢复時间很短（10-40纳秒），并且反向泄露电流很大，抗压低，一般小于150V，多用以低压场所。快恢复二极管就是指反向恢复時间很短的二极管（5us下列），加工工艺上多选用掺金对策，构造上带选用PN结型构造，有的选用改善的PIN构造。其顺向压力降高过一般二极管（1-2V），反向抗压多在1200V下列。从特性上可分成快恢复和极快恢复2个级别。前面一种反向恢复時间为百余纳秒或更长，后面一种则在100纳秒下列。极快恢复二极管（通称fred）是一种具备电源开关特点好、反向恢复時间稍短的半导体材料二极管，常见来给高频率逆变电源设备的电源开关器件作续流、消化吸收、箝位、防护、輸出和键入镇流器，使电源开关器件的作用获得充分运用。极快恢复二极管是用电量机器设备高频率化（20khz之上）和高频率机器设备固体发展必不可少的关键器件。
快恢复、极快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部构造与一般二极管不一样，它是在P型、N型光伏材料正中间提升了基区I，组成P-I-N硅单晶。因为基区太薄，反向恢复正电荷不大，不但大大的减少了trr值，还减少了瞬态顺向压力降，使水管能承担很高的反向工作频率。快恢复二极管的反向恢复時间一般为好几百纳秒，顺向压力降约为0.6V，顺向电流量是几安培至好几千安培，反向最高值工作电压达到好几百到好几千伏。极快恢复二极管的反向恢复正电荷进一步减少，使其trr可低至几十纳秒。20A下列的快恢复及极快恢复二极管大多数选用TO-220封装类型。从内部构造看，可分为多管、对管（亦称多管）二种。对管內部包括二只快恢复二极管，依据二只二极管接线方法的不一样，又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的快恢复二极管一般选用TO-3P金属材料壳封裝。更大空间（好几百安～好几千安）的水管则选用地脚螺栓型或平板电脑型封装类型。特性、主要参数较为下表列出了肖特基二极管和极快恢复二极管、迅速恢复二极管、硅高频率整流器二极管、硅髙速电源开关二极管的特性较为。由表由此可见，硅髙速电源开关二极管的trr虽极低，但均值整流器电流量不大，不可以作大电流量整流器用。
反向恢复時间什么叫反向恢复時间？
当另加二极管的工作电压一瞬间从顺向转到反向时，流过器件的电流量并不可以相对地一瞬间从顺向电流量变换为反向电流量。这时，顺向引入的极少数载流子（空化）被空间电荷区的强静电场提取， 亿配芯城 因为这种空化的相对密度高过基区均衡空化相对密度，因此在反向参考点一瞬间，将造成一个远高于反向泄露电流的反向电流量，即反向恢复电流量IRM。此外，合乎全过程的加强也在加快这种附加载流子相对密度的降低，直至基区中累积的附加载流子的彻底消退，反向电流量才降低并平稳到反向泄露电流。全部过程中所亲身经历的時间为反向恢复時间。反向恢复時间trr的界定是：电流量根据零点由顺向变换到要求低值易耗的间隔时间。它是考量高频率续流及整流器器件特性的关键性能指标。
区别肖特基二极管与快恢复二极管
1、构造基本原理不一样，肖特基二极管是贵金属和n型半导体融合成，快恢复二极管是一般pn结加了个薄基区。
2、快恢复二极管就是指反向恢复時间很短的二极管（5us下列），加工工艺上多选用掺金对策，构造上带选用PN结型构造，有的选用改善的PIN构造。其顺向压力降高过一般二极管（1-2V），反向抗压多在1200V下列。从特性上可分成快恢复和极快恢复2个级别。前面一种反向恢复時间为百余纳秒或更长，后面一种则在100纳秒下列。肖特基二极管是以金属材料和半导体材料触碰产生的势垒为基本的二极管，称肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode），具备顺向压减少（0.4--0.9V）、反向恢复時间很短（10-40纳秒），并且反向泄露电流很大，抗压低，一般小于150V，多用以低压场所。
3、肖特基二极管反向击穿场强大多数不高过60V，最大仅约100V，限定其应用，快恢复二极管反向最高值能够到好几百到好几千伏，因而像在电源变压器变电器次级线圈用100V之上的高频率整流器二极管等只能应用迅速恢复（UFRD）。
4、肖特基正指导通压力降仅0.4V左，快回应二级馆0.6伏，综上所述，因为肖特基二极管中极少数载流子的存储效用微乎其微，因此其頻率响仅为RC时间常数限定，因此，它是高频率和快速开关的理想化器件。其输出功率达到100GHz。而且，MIS（金属材料－导体和绝缘体－半导体材料）肖特基二极管能够用于制做太阳能电池板或发亮二极管。快恢复二极管：有0.8-1.1V的正指导通压力降，35-85nS的反向恢复時间，在导通和截至中间快速变换，提升了器件的应用頻率并改进了波型。快恢复二极管在生产制造加工工艺上选用掺金，单纯性的外扩散等加工工艺，可得到较高的电源开关速率，另外也可以获得较高的抗压。现阶段快恢复二极管关键运用在逆变电源中做整流器元器件。