IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的综合性全控电压驱动功率半导体装置，兼具MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两大优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降低，载流密度小。IGBT结合了上述两种装置的优点，LONGSON龙芯中科(龙芯)处理器IC芯片 降低了驱动功率和饱和压。适用于DC电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。

  IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接而成；IGBT模块直接应用于变频器、不间断电源等设备；

  IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点，现在市场上销售的是这样的模块化产品，一般来说IGBT也指IGBT模块随着节能环境保护等理念的推进，这样的产品在市场上越来越多。

  IGBT是能源转换和传输的核心部件，通称电力电子装置的CPU，作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空宇宙、电动汽车和新能源装备等领域。

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