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晶圆大厂格芯今天宣布，其基于其22nm FD-SOI 平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。而公司正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。格芯进一步指出，此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 据格芯介绍，他们的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和

格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。 此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和密度优势。 格芯表示，该款e

就在2018年8月，在晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)宣布停止7纳米及其以下先进制程的发展之后，长期合作伙伴的处理器大厂AMD便开始将7纳米Zen架构的CPU订单全都交给台积电代工，双方的这两年的合作关系非常紧密，也使得AMD获得诸多效益。与之相比，AMD的前合作伙伴格芯在不发展先进制程的情况下，改在成熟制程上扩展业务。日前，格芯就宣布已经完成了22FDX（22纳米FD-SOI）的技术开发，且未来将在这技术上进一步成为相关领导者，而这样等于宣布了格芯未来将与x86架构CPU的