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Infineon英飞凌FF400R07A01E3S6XKSA2模块:IGBT MED PWR 14MDIP的参数及方案应用 随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍Infineon英飞凌FF400R07A01E3S6XKSA2模块的参数以及方案应用。 一、参数详解 Infineon英飞凌FF400R07A01E3S6XKSA2模块是一款高性能的IGBT,
标题:Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH技术及方案介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断创新。Infineon品牌的IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH作为一种重要的电子元件,在电力转换和控制系统中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH的技术和方案。 一、技术特点 Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENC
标题:Infineon IGW40N65H5FKSA1 半导体 IGBT 650V 74A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon IGW40N65H5FKSA1是一款高性能的650V 74A TO247-3封装规格的半导体IGBT。这款产品在市场上具有很高的竞争力,其独特的性能和特点使其在许多应用领域中脱颖而出。 技术特点: * 650V 74A的IGBT模块,具有出色的导通性能和极低的开关损耗。 * TO247-3封装设计,具有高散热性能,适用于高温和高功率应用环境。 * 内置的
一、概述 Infineon英飞凌FS150R12KE3BOSA1模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于各种电力电子应用,如变频器、电机驱动、电源转换等。该模块具有1200V的电压耐压,200A的电流容量,以及700W的功率输出,为各种应用提供了高效率、高可靠性的解决方案。 二、参数详解 1. 电压耐压:1200V,这意味着该模块可以在电压为1200V的情况下正常工作,具有出色的电气性能。 2. 电流容量:200A,意味着该模块可以承受高达200A的电流,适用于各种大电流应
标题:Infineon品牌IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT 1350V 40A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon近期推出的IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT,具有1350V、40A的强大性能,TO247-3封装使其在小型化应用中具有显著优势。 技术特点: 1. 高压性能:IHW20N135R5XKSA1的额定电压高达1350V,适用于需要高压大电流的场合。 2. 快速开关特性:该器件具有优秀的开关性能,可在高频应用中表现出色。 3. 热稳定性高:该器件
Infineon英飞凌DF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1040W参数及方案应用详解 随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种工业应用中的地位日益凸显。今天,我们将为大家详细介绍一款Infineon英飞凌的DF200R12KE3HOSA1模块,其具有1200V 1040W的强大性能,适用于各种工业电源和电机驱动系统。 一、参数详解 1. 型号:DF200R12KE3HOSA1 2. 电压等级:1200V 3. 最大电流:1040W 4. 开关频率:高
标题:Infineon品牌IKW08T120FKSA1半导体IGBT 1200V 16A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon品牌IKW08T120FKSA1半导体IGBT是一款适用于各种高电压大电流应用的先进产品。该器件采用TO247-3封装,具有1200V的额定电压和16A的额定电流,适用于各种工业、电源和电机控制领域。 技术特点: * 高压大电流设计,适用于各种高电压应用场景; * 优异的热性能和电气性能,长期稳定可靠; * 集成门极可实现快速开通和关断,降低开关损耗; *
标题:onsemi安森美AFGHL75T65SQDC芯片IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT技术与应用详解 onsemi安森美AFGHL75T65SQDC芯片是一款采用SIC COPACK封装技术的IGBT,它集成了超结IGBT与肖特基二极管的特点,具有更高的开关频率和更低的功耗。 首先,我们来了解一下IGBT的基本概念。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合型电力电子器件,具有较高的开关频率和较低的通态电压,因此在变
标题:Infineon品牌IKW30N60H3FKSA1半导体IGBT 600V 60A 187W TO247-3的技术与方案介绍 Infineon品牌IKW30N60H3FKSA1半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的核心元件,具有600V、60A和187W的强大性能。TO247-3封装使得这款产品在应用中具有很高的灵活性和适应性。 技术特点: 1. 600V的电压规格使得该款IGBT在一般电子设备中具有广泛的应用范围。 2. 60A的电流规格表明该款IGBT具有较高的电流承载能力,适用于
1 IGBT的结构 如下图所示,一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,有两个N+区,其中一个N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。另一个N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P-区,沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用, 向漏极注入