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Infineon英飞凌F417MR12W1M1HPB76BPSA1模块:低功耗易用方案的解析与应用 一、简介 Infineon英飞凌F417MR12W1M1HPB76BPSA1模块是一款高性能的EEPROM存储器,适用于各种低功耗应用场景。该模块具有低功耗特性,高存储密度,以及卓越的数据可靠性和耐久性,使其在各种嵌入式系统中得到广泛应用。 二、主要参数 1. 存储容量:高达1MB; 2. 工作电压:2.7V至3.6V; 3. 读写速度:快速; 4. 耐久性:高; 5. 功耗:低; 6. 封装形
Cosel科索TAC-20-683模块:LINE FILTER 500VAC 20A CHASSIS的技术与方案应用介绍 Cosel科索的TAC-20-683模块是一款适用于交流电源系统的LINE FILTER,具有500VAC的额定电压和20A的电流容量。该模块以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种工业和商业设备中。 技术特点: 1. 高效率:TAC-20-683模块采用先进的电路设计,能够有效滤除电源中的谐波,提高电源效率。 2. 稳定性:模块内部采用高品质的电气元件,具有出色的稳定性和耐
标题:Semikron SKIIP24AC126V1模块的技术与方案应用分析 Semikron赛米控的SKIIP24AC126V1模块是一款功能强大的电源管理芯片,广泛应用于各种电子设备中。本文将对其技术特点、方案应用进行深入分析。 一、技术特点 SKIIP24AC126V1模块采用了先进的半导体工艺,具有高效率、低噪声、高可靠性的特点。其内部集成多个功能模块,包括输入整流、输出变换、保护电路等,大大简化了电路设计。此外,该模块还具有宽工作电压范围、低待机功耗等优点,适用于各种复杂的应用场景。
Infineon英飞凌FP50R12KT4GBOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W参数及应用方案 一、概述 Infineon英飞凌FP50R12KT4GBOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,适用于各种工业和电源应用。该模块采用1200V、50A的IGBT,具有280W的输出功率,适用于需要高效、可靠和耐用的电源系统。 二、技术参数 1. IGBT类型:双极型IGBT 2. 电压:1200V 3. 电流:50A 4. 输出功率:280W 5. 工作温度范围:-40℃至+
标题:Semikron SKIIP2414GB17E4-4DUW模块的技术与应用分析 一、简介 Semikron的SKIIP2414GB17E4-4DUW模块是一款高性能的开关电源控制器,专为需要高效率、高可靠性和低噪声的电源系统设计。这款模块采用先进的半桥开关变换器拓扑,结合赛米控的专利技术,实现了卓越的功率转换效率和出色的电磁干扰(EMI)控制。 二、技术特点 1. 高效率:模块采用赛米控的专利半桥拓扑结构,通过精确的开关定时和电流控制策略,实现了高效率运行。 2. 宽广的工作电压范围:模
一、概述 Infineon英飞凌FS150R12KE3BOSA1模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于各种电力电子应用,如变频器、电机驱动、电源转换等。该模块具有1200V的电压耐压,200A的电流容量,以及700W的功率输出,为各种应用提供了高效率、高可靠性的解决方案。 二、参数详解 1. 电压耐压:1200V,这意味着该模块可以在电压为1200V的情况下正常工作,具有出色的电气性能。 2. 电流容量:200A,意味着该模块可以承受高达200A的电流,适用于各种大电流应
Cosel科索NBH-20-202模块LINE FILTER 250VDC/VAC 20A CHAS技术与应用介绍 Cosel科索NBH-20-202模块是一款具有LINE FILTER 250VDC/VAC 20A CHAS功能的模块,适用于各种电力设备中。该模块具有优良的电气性能和可靠性,能够有效地抑制电磁干扰,提高系统的稳定性和可靠性。 技术特点: 1. 适用于250VDC/VAC的电压范围,具有出色的电气性能和稳定性。 2. 采用先进的滤波技术,能够有效抑制电磁干扰,提高系统的抗干扰能
在电源设计中我们如何选择电源模块,那么选择的前提是,我们得了解各种电源,了解各种电源的区别,那样我们才可以正确的选择电源模块。 什么是模拟电源 即变压器电源,通过铁芯、线圈来实现,线圈的匝数决定了两端的电压比,铁芯的作用是传递变化磁场,主线圈在50HZ频率下产生了变化的磁场(我国),这个变化的磁场通过铁芯传递到副线圈,在副线圈里就产生了感应电压,于是变压器就实现了电压的转变。 模拟电源的缺点 线圈、铁芯本身是导体,那么它们在转化电压的过程中会由于自感电流而发热(损耗),所以变压器的效率很低,一
标题:Semikron SKIIP23NAB12T4V1模块的技术与方案应用分析 Semikron的SKIIP23NAB12T4V1模块是一款高性能的半导体功率器件,其技术特点和方案应用在当今的电力电子领域中具有重要意义。本文将对其技术原理、方案应用进行深入分析。 一、技术原理 SKIIP23NAB12T4V1模块采用先进的半桥驱动技术,能够在低电压、小电流下进行高效工作。该模块采用双极性电源设计,通过驱动电路实现半桥的开关操作,从而控制电感电流的上升和下降,达到高效转换的目的。此外,模块还具
随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FF225R12ME4BOSA1模块IGBT MOD便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF225R12ME4BOSA1模块IGBT MOD是一款高性能的1200V 320A 1050W IGBT模块。它采用先进的工艺制造,具有高耐压、大电流、高转换效率等特点。具体参数如下: * 耐压:1200V * 电流:320A *