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英飞凌科技的F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1芯片是一款高性能的SIC 2N-CH 1200V 85A芯片,这款芯片采用了AG-EASY2B技术,具有高效、可靠、易用的特点,广泛应用于各种电子设备中。 首先,我们来了解一下SIC 2N-CH 1200V 85A这个规格。SIC是一种高耐压、大电流的封装形式,适用于需要高功率、大电流的场合。而2N-CH则表示该芯片采用了双极型晶体管结构,具有较高的开关速度和较低的功耗。1200V和85A则分别代表该芯片所能承受的电压和电流极限,表明该芯
Infineon英飞凌BSM10GP60BOSA1模块BSM10GP60 - IGBT MODULE 600V 20A参数及方案应用详解 随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种应用场景中发挥着越来越重要的作用。今天,我们将为大家介绍一款来自Infineon英飞凌的BSM10GP60BOSA1模块——BSM10GP60 IGBT MODULE 600V 20A。这款模块以其出色的性能和稳定性,成为市场上的热门选择。 首先,我们来了解一下BSM10GP60BOSA1模块的基本参数。该模块采
随着电子技术的快速发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌作为一家知名的半导体厂商,其BSM50GP60B2BOSA1模块IGBT MODULE在许多应用场景中发挥了重要作用。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格:BSM50GP60B2BOSA1,是一款适用于交流/直流转换器的模块化IGBT。它具有低导通电阻(RDS(on))、低开关损耗和快速响应时间等优点。 2. 最大额定值:在指定的电流
Infineon英飞凌F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块:低功耗、易用方案及应用 一、简介 Infineon英飞凌科技的F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块是一款低功耗、易用且功能强大的微控制器单元(MCU)。该模块以其卓越的性能和出色的功耗控制,为各种嵌入式系统设计提供了理想的解决方案。 二、主要参数 F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块的主要参数包括: 1. 处理器:ARM Cortex-M4,工作频率高达480MHz; 2. 内存:具有高达64KB的闪存和
Infineon英飞凌FP15R12KE3GBOSA1模块FP15R12KE3G - 1200 V,15 A PIM T的参数及方案应用 一、概述 Infineon英飞凌FP15R12KE3GBOSA1模块是一款高性能的功率模块,适用于各种高电压大电流的应用场景。该模块采用先进的封装技术,具有高可靠性、高效率、低热损耗等优点。本文将详细介绍FP15R12KE3G模块的参数及方案应用。 二、技术参数 1. 电压:最高1200 V; 2. 电流:最大15 A; 3. 封装形式:PIM T; 4.
Infineon英飞凌FP50R06W2E3B11BOMA1模块IGBT MODULE 600V 65A 175W参数及方案应用详解 一、概述 Infineon英飞凌FP50R06W2E3B11BOMA1模块是一款高性能的IGBT MODULE,适用于各种电力电子应用场合。该模块具有600V的电压承受能力,可实现高达65A的电流输出,以及175W的功率输出,为各类设备提供了强大的能源转换和控制能力。 二、参数详解 1. 电压:600V:该模块可在600V的电压下正常工作,具有较高的耐压性能,能
Infineon英飞凌FP15R12W1T7PB3BPSA1模块:低功耗易用方案的探索与实践 一、引言 随着物联网、智能家居、可穿戴设备等领域的快速发展,对低功耗、高集成度、易用性的电子模块需求日益增长。Infineon英飞凌的FP15R12W1T7PB3BPSA1模块,以其独特的LOW POWER EASY特性,为这些应用提供了理想的解决方案。本文将详细介绍该模块的主要参数,并探讨其在实际应用中的方案设计。 二、模块参数详解 FP15R12W1T7PB3BPSA1模块是一款适用于各种低功耗应
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FS35R12YT3BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍FS35R12YT3BOMA1模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FS35R12YT3BOMA1模块IGBT MODULE是一款高性能的IGBT模块,其主要参数如下: 1. 型号:FS35R12YT3BOMA1 2. 芯片类型:N-MOS 3. 电压范围
随着科技的发展,电子设备在我们的日常生活中越来越常见,而IGBT模块作为其中的关键组成部分,其性能和参数对于设备的稳定运行至关重要。今天我们将详细介绍一款名为Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1的IGBT模块,探讨其参数及方案应用。 首先,让我们了解一下Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块的基本参数。该模块是一款电压型驱动的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其额定电压为1,000V,工作温度范围为-40℃至150℃。该模块采用7脚封装
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格:DF80R12W2H3B11BOMA1模块是一款适用于交流/直流转换器的IGBT模块,其额定电压为800V,额定电流为120A。该模块采用MBD(微型基板)技术,具有高集成度、高可靠性和高效率