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台积电1
发布日期：2024-03-23 07:07     点击次数：133

12月28日，台积电中科台中园扩建二期计划近日获得内政部都市计划委员会批准，为台积电在1.4纳米工艺技术布局上投下重要一票。台积电正在积极拓展其先进的工艺技术，通过中科二期扩建为其1.4纳米工艺的生产提供了更大的可能性。

台积电1.4nm中科园区扩建获批.png

台积电一直保留着中科二期扩建的土地规划。虽然北方1.4纳米生产基地计划暂时搁置，但台积电仍未放弃在中科建立1.4纳米生产基地的愿景。中科台中园区扩建二期靠近现有园区，面积89.75公顷。台积电原计划将该区域作为2纳米的备用用地。后来，由于台中市政府的审议，该区域缩小，最多只能建造两家2纳米旗舰厂。目前，包括宝山和高雄工厂在内的台积电在内的2纳米生产布局已经明确。至于1.4纳米的生产，中科二期扩建用地可以优先考虑台积电，但具体决策取决于各县市的态度和配套计划。据可靠消息人士透露，台积电1.4纳米工艺开发正在顺利进行，并可在2027-2028年推出。此时与高雄工厂切入2纳米强化版(N2)P）预计量产时间相近。然而，随着半导体工艺深入5nm以下，制造难度和成本日益增加。摩尔定律的物理极限约为1nm，再往下走就会面临严重的量子隧穿问题。主要厂家在实际尺寸上采用的先进工艺仍有一定的空间，纸面上的1nm工艺仍有可能存在。去年， 亿配芯城 台积电成立了一个研发1.4nm工艺的团队，首席执行官刘德音表示，该公司正在探索比1.4nm更先进的工艺。1.4nm工艺是半导体行业的目标之一，但将面临巨大挑战。根据IMEC欧洲微电子中心的路线图，2nm过程是14A，即1.4nm过程，预计将于2026年推出，然后是A10过程，即1nm，预计将于2028年推出。但实际量产时间可能会延迟。在2nm节点之后，EUV光刻机需要大规模升级，ASML预计将于2026年推出下一代EXE:5000系列，High， 提高光刻分辨率的NA技术。

随着技术的进步和市场需求的不断变化，台积电在先进工艺技术中的布局也在不断调整。未来几年，台积电在中科台中园的扩建计划将为其在半导体行业的持续领先地位奠定坚实的基础。

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