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三星:2020年开发3纳米制程,芯片设计费将高达15亿
发布日期:2024-09-11 08:23     点击次数:181

三星电子先前发布,到2020年开发3纳米Foundry制程。据分析称3纳米Foundry制程芯片设计费用将高达15亿美金。虽芯片设计费用的增长倍数极高,但据专家分析称其电流效率和性能提升幅度并没有与费用成正比,而且考虑到高额的费用,能设计3纳米工程的企业屈指可数。

7月17日半导体市调机构International Business Strategy(IBS)分析称3纳米芯片工程的芯片设计费用将高达4亿至15亿美金。IBS说明,在设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用最高。该公司资料显示28纳米芯片的平均设计费用为5130美金,而采用FinFET技术的7纳米芯片设计费用为2亿9780万美金,是将近6倍的涨幅。半导体芯片的设计费用包含IP、Architecture、检查、物理验证、软件、试产品制作等费用。

这也是半导体行业Fabless工厂一直青睐16纳米FinFET和三星的14纳米FinFET制程的理由。对Foundry厂商来说成本也是颇为伤脑筋的事情, 电子元器件采购网 不仅如此3纳米制程难度也颇高。

三星电子的3纳米制程将首次使用GAAE(Gate-All-AroundEarly), GAAP(Gate-All-Around Plus)技术,并起名为MBCFET(MultiBridge Channel FET)。技术的核心为确保每个Gate通道的电流存在。若FinFET结构为3面电流,GAA为Gate的所有面都要确保有电流,电流通道变大后随之性能也将提升。

三星电子的MBCFET技术为美国IBM和GF共同开发。若FinFET为鱼鳞状的Gate竖向排列的话,GAA为Gate横向叠加排列方式。为生产此种Gate结构需要Pattern显影、蒸镀、蚀刻等一系列工程的革新,并且为了减少寄生电容还要导入替代铜的钴、钌等新材料。

业界人士称:3纳米工程开发与芯片设计若有庞大财源的支持下是有可行性,但关键在于是否值得如此投资。而且可使用此种工程的公司也就只有高通、苹果、英伟达、苹果等少数公司,这也将是3纳米工程的绊脚石之一。