半导体产业亮红灯！人才培养已成困扰多国产业的最大难题

韩国《亚洲经济》12月3日报道称，韩国半导体行业人才流失，已经亮起了红灯，而出现这一情况的主要原因，韩媒归咎于中国官方和企业广纳人才。 报道指出，三星电子对一名负责D-Ram的前高管提起诉讼，申请禁止调职的暂时处分，因为该高官跳槽至中国半导体生产企业。 报道认为，自从中国提出半导体崛起的口号后，中方挖掘韩国半导体人才的行为愈演愈烈。虽然韩国企业已在警惕核心技术人才大举流出，但因缺乏具体对策只能束手无策。而大量核心人才的流失，则势必削弱韩国半导体产业的实力。 此前也有报道表达了类似的观点，韩国媒

内存、闪存降价太狠 美光削减12.5亿美元支出以减少供应

美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。 2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。 美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的

韩反垄断机构：三星已解除交叉持股结构 改进企业治理

凤凰网科技讯 北京时间12月28日消息，韩国反垄断机构周五表示，包括三星集团在内的韩国大企业已经切断了交叉持股联系，提高了企业治理的透明度。韩国企业的交叉持股结构常常被指责是为了巩固创始人后代对公司的控制权。 韩国公平贸易委员会今天宣布，在60家韩国大企业中，有15家已自愿作出努力，要么改善了所有权结构或企业治理，要么缓解了交叉持股问题。这15家公司包括三星、LG、现代、SK、乐天等。三星是韩国最大企业。 FTC认为，三星在今年解除了剩余的7个交叉持股联系，从而彻底解决了交叉持股结构问题。今年

美光与高通合作 助力车载影音娱乐系统

存储器巨头美光宣布与芯片巨头高通合作，给下一代汽车驾驶舱计算系统开发存储解决方案。美光将用其新高密度汽车级LPDDR4X应用于高通第三代Snapdragon汽车驾驶舱平台，给高通用户提供更好的解决方案。 美光开发的LPDDR4X提供2GB-16GB容量，传输速率高达546Gb/s。其传输速率能够支持汽车信息娱乐系统中的高分辨率3D图形显示。而高通的Snapdragon汽车驾驶舱平台以人工智能为中心，给够给驾驶这提供全新的汽车体验。 两家公司将共同验证美光内存解决方案，将其运用到到骁龙汽车数字座

客户嘉联益出状况 牧德：今年靠其他软板客户补上

台系软板厂嘉联益近期屡传裁员及售厂消息，印刷电路板光学检测设备厂牧德13日表示，去年嘉联益对公司营收贡献确实不少，今年这块的营收缺口，还是可从其他软板厂客户来补上。 牧德13日举行财报发布会，对于嘉联益的状况，牧德董事长汪光夏是出上述看法。 据了解，嘉联益2018年对于牧德软板营收贡献真的不低，初估约有20%左右。牧德表示，相关费用客户都已付款，不受影响。 汪光夏表示，软板还是2019年公司营收中最大的比重部分，虽然少了嘉联益，但是还是很感谢去年该公司扩产的订单，不过嘉联益外还8、9家客户，今

齐纳二极管和并联拓扑如何选择合适的并联电阻的探讨

有什么比参考电压源更简单的基本电压恒定参考电压？和所有设计主题一样，也有取舍。本文讨论不同类型的基准电压源、它们的主要规格和设计权衡，包括精度、温度无关性、电流驱动能力、功耗、稳定性、噪声和成本。 理想的参考电压具有完美的初始精度，并保持其电压随负载电流、温度和时间而变化。在现实世界中，设计人员必须权衡以下因素：初始电压精度、电压和温度漂移和滞后、电流源和吸收能力、静态电流(或功耗)、长期稳定性、噪声和成本。 参考类型 两种最常见的参考类型是齐纳二极管和带隙二极管。齐纳二极管通常用于并联拓扑。

博通挤下高通成无晶圆厂芯片供应商Top1，英伟达变身最大黑马

总部位于台北的市场研究公司TrendForce的数据显示，博通(Broadcom)在2018年的无晶圆厂芯片厂商中销量升至首位，将竞争对手高通(Qualcomm)从10多年来的榜首位置挤了下来。 博通公司2018年的销售额增长了2.6%，远低于半导体行业13.7%的整体增长。但即便是这种不温不火的增长也足以让博通超越高通。由于智能手机需求下降，以及和苹果的专利权事件让高通失去了其主要调制解调器供应商的地位，其销售额下滑了3.9%。 从2017年伊始，Broadcom就一直试图对高通进行恶意收购

保险丝采用的制作材料

保险丝常采用的材料 保险丝常采用的材料保险丝必须是易熔化的金属丝，才能在电流大时及时熔断，起到保护作用，所以通常用铅丝。现在的保险丝一般由电阻率比较大而熔点较低的银铜合金制成。最初用铅锑合金做的保险丝也因安全原因已被淘汰。 现在我们平时常见的铅丝保险丝并不是纯铅制造，铅中含锑锡合金，这是为了达到更低熔点的目的而加进去的。 未加入锑锡合金的铅丝保险丝就是假冒伪劣产品。 一般保险丝的组成： 一是熔体部分，它是保险丝的核心，熔断时起到切断电流的作用，同一类、同一规格保险丝的熔体，材质要相同、几何尺寸

重磅！国科微首款固态硬盘控制芯片问世，成就全“国产化”

4月22日下午，国科微宣布与龙芯中科达成战略合作。作为首个战略合作成果，国科微发布的GK2302系列芯片，搭载龙芯嵌入式CPU IP核，成为国内首款真正实现全国产化的固态硬盘控制芯片。 来自工信部、中国工程院、安可工委会、中国电子标准化研究院、国家集成电路产业投资基金股份有限公司等有关部门的领导和专家，代表国产化生态力量的企业家和技术专家一起见证我国在关键核心技术领域取得的这一重要成果。 根据战略合作协议，龙芯中科在后续主板方案上将国科微作为首选国产固态硬盘供应商，国科微则在后续芯片产品中将龙

什么是电量计芯片？

电量计芯片 可携式/消费类新品不断问世，智能手表、智能手环、蓝牙耳机...它们无一不例外需要用到储能电池，而电池电量会随设备的使用逐渐消耗。为了减少设备意外或过早停止工作，需要实时监视设备剩余电量，以便及时充电或电量充满拔掉插头，防止爆炸事故意外发生；而电量计芯片是专用于电池监测的器件。   其原理是根据法拉第定律，用电极上发生反应的物质的量可以精确计算出通过电路的电量。   利用这个原理设计出的用于测量电路中所通过电量的装置，称为“电量计”或“库仑计”。常用电量计有“银电量计”、“气体电量计

什么是IGBT管？

IGBT管   IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的综合性全控电压驱动功率半导体装置，兼具MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两大优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降低，载流密度小。IGBT结合了上述两种装置的优点，降低了驱动功率和饱和压。适用于DC电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、

什么是加速度传感器？

加速度传感器   加速度传感器是一种可以测量加速度的传感器。它通常由质量块、减震器、弹性元件、敏感元件和调节电路组成。在加速过程中，传感器通过测量质量块的惯性力来获得加速度值。根据传感器敏感元件的不同，常见的加速度传感器包括电容、电感、应变、压阻、压电等。   普通加速度传感器就是利用其内部因加速度而引起的晶体变形这一特性。因为这种变形会产生电压，所以只要计算出产生电压与所施加的加速度之间的关系，加速度就会转化为电压输出。当然，还有许多其他方法可以制造加速度传感器，如压阻技术、电容效应、热气泡